英特爾美光將首推25納米NAND閃存芯片

【大紀元2月1日訊】2月1日，英特爾（Intel）和美光（Micron）科技預計將宣布這兩家公司將推出全球第一個基於25納米NAND閃存技術的芯片。
　　
據個人電腦雜誌（PCMag）星期一報導，這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預計將在2010年下半年之前開始大批量生產。
　　
作為目前應用的最小的NAND閃存技術，25納米生產工藝與2008年推出的34納米技術相比將顯著減小芯片的尺寸。
　　
這兩家公司稱，這種新的生成工藝能夠在一個只有167平方毫米(能夠穿過CD光盤中間的圓孔)的比1便士硬幣還小的單個NAND芯片上製作8GB的存儲容量。由於這是一種通用的閃存芯片，它可以用於任何需要閃存存儲的設備上，如數碼相機、MP3播放機和固態硬盤。
　　
Objective Analysis在研究報告中說，由於芯片的尺寸是167平方毫米，一個300毫米加工廠每個晶圓能夠生產出400多個芯片。這將使生產成本達到每個芯片大約4美元，或者每GB存儲容量0.50美元。由於2009年NAND閃存的價格一直是每GB大約2.00美元，並且似乎在2010年將繼續保持這個價格，25納米生產工藝將給這兩家公司帶來比目前的34納米工藝更高的毛利潤率。目前34納米芯片的成本預計是每GB存儲容量1.00美元。
　　
美光科內存事業部技副總裁Brian Shirley上週四解釋25納米芯片技術時說，如果人類的一根頭髮是1英里寬，25納米技術就相當於21英吋。
　　
這種新的閃存技術大約是容量最大的34納米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一樣大的。這種25納米芯片支持開放NAND閃存接口2.2標準，吞吐量為每秒200MB。
　　
這種25納米芯片將由英特爾和美光科技在2006年創建的合資企業IM Flash Technologies（IFL）生產。這個合作企業在創建時是使用的50納米生產工藝，現在是第三次減小生產工藝尺寸。 (http://www.dajiyuan.com)