【大紀元6月6日報導】(中央社記者張建中新竹6日電)儲存型快閃記憶體(NANDFlash)市場競爭依然激烈，各廠不僅持續擴產，並積極推進製程技術，為後市添增變數，也讓模組廠對產業前景不再一致看好，看法趨於分歧。
蘋果(Apple)持續不斷推出新產品，繼平板電腦iPad上市後，近日又將發表iPhone 4G手機，為各界期待可望刺激NAND Flash市場需求成長，穩定市況的最大支撐力量。
市調機構集邦科技即看好，下半年隨傳統旺季來臨，NAND Flash市場可望供不應求，供給缺口也將逐季擴大；預估第4季供給缺口將達2.8%。
台灣記憶體模組廠威剛科技董事長陳立白甚至看好明年NAND Flash市場榮景可期。
全球記憶體模組龍頭廠金士頓則持不同看法，預期隨著三星(Samsung)等NAND Flash製造廠製程技術陸續推進至20奈米世代製程，下半年記憶卡及隨身碟等低階產品市場恐將供過於求。
某家記憶體控制晶片廠則認為，下半年NAND Flash市況應不致如金士頓預期般悲觀，至少第3季製造廠新增產能有限，另方面，蘋果新產品推出，可望帶動需求增溫，市場信心度提高，有助穩定市況。
但是第4季隨製造廠新增產能陸續開出，需求能否順利去化新增產能，則有待觀察；尤其，明年第1季時序進入傳統淡季，記憶體控制晶片業者認為，屆時市場恐將面臨嚴重考驗。
業者表示，繼美光(Micron)宣佈跨入25奈米製程後，甫於去年下半年推出32奈米製程的三星及海力士(Hynix)，今年初也宣佈將分別跨入27奈米及26奈米製程；東芝 (Toshiba)亦將於年底跨入20奈米世代製程。
除持續推進製程技術外，三星等製造廠也同步積極擴產，根據集邦科技調查指出，三星至今年第4季12吋產能將自去年底的27萬片，擴增至31萬片，增幅約15%；東芝也將增產近2成，海力士產能更將倍增。
此外，力晶NAND Flash產能也將擴增至2萬片規模。業者表示，製造廠全面擴產是NAND Flash後市發展最大的變數。
反觀動態隨機存取記憶體(DRAM)市場，除三星外，僅台塑集團旗下DRAM廠南科與華亞科產能小幅擴增，其餘DRAM廠擴產動作保守，也讓各界一致樂觀看待DRAM後市。
