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NAND明年產出 估增41%

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【大紀元11月23日報導】(中央社記者張建中新竹23日電)研調機構集邦科技預期,2013年儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產出成長將較預期小,較今年增加約41%。

集邦科技表示,2013年NAND Flash需求能見度低,多數供應商暫緩產能擴增計畫;其中,東芝(Toshiba)甚至將彈性減產3成的政策延續至2013年第2季,後續再視市場需求決定是否恢復全產能生產。

集邦指出,2013年NAND Flash產出增加,將主要仰賴供應商製程轉換。

多數廠商正積極自25奈米世代製程推進至20奈米世代製程,集邦表示,但良率問題恐將影響製程推進進度,預期2013年NAND Flash產出成長率約41%,低於原預期的45%。

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