【大纪元6月6日报导】(中央社记者张建中新竹6日电)储存型快闪记忆体(NANDFlash)市场竞争依然激烈，各厂不仅持续扩产，并积极推进制程技术，为后市添增变数，也让模组厂对产业前景不再一致看好，看法趋于分歧。
苹果(Apple)持续不断推出新产品，继平板电脑iPad上市后，近日又将发表iPhone 4G手机，为各界期待可望刺激NAND Flash市场需求成长，稳定市况的最大支撑力量。
市调机构集邦科技即看好，下半年随传统旺季来临，NAND Flash市场可望供不应求，供给缺口也将逐季扩大；预估第4季供给缺口将达2.8%。
台湾记忆体模组厂威刚科技董事长陈立白甚至看好明年NAND Flash市场荣景可期。
全球记忆体模组龙头厂金士顿则持不同看法，预期随着三星(Samsung)等NAND Flash制造厂制程技术陆续推进至20奈米世代制程，下半年记忆卡及随身碟等低阶产品市场恐将供过于求。
某家记忆体控制晶片厂则认为，下半年NAND Flash市况应不致如金士顿预期般悲观，至少第3季制造厂新增产能有限，另方面，苹果新产品推出，可望带动需求增温，市场信心度提高，有助稳定市况。
但是第4季随制造厂新增产能陆续开出，需求能否顺利去化新增产能，则有待观察；尤其，明年第1季时序进入传统淡季，记忆体控制晶片业者认为，届时市场恐将面临严重考验。
业者表示，继美光(Micron)宣布跨入25奈米制程后，甫于去年下半年推出32奈米制程的三星及海力士(Hynix)，今年初也宣布将分别跨入27奈米及26奈米制程；东芝 (Toshiba)亦将于年底跨入20奈米世代制程。
除持续推进制程技术外，三星等制造厂也同步积极扩产，根据集邦科技调查指出，三星至今年第4季12吋产能将自去年底的27万片，扩增至31万片，增幅约15%；东芝也将增产近2成，海力士产能更将倍增。
此外，力晶NAND Flash产能也将扩增至2万片规模。业者表示，制造厂全面扩产是NAND Flash后市发展最大的变数。
反观动态随机存取记忆体(DRAM)市场，除三星外，仅台塑集团旗下DRAM厂南科与华亚科产能小幅扩增，其余DRAM厂扩产动作保守，也让各界一致乐观看待DRAM后市。
