（大纪元记者余浩综合北卡报导）美国总统奥巴马上月在北卡州立大学（North Carolina State University, 简称NCSU）面对现场超过2000 多观众宣布，美国联邦政府将拿出一亿四千万美金的巨款，协助NCSU共同研发新一代的能源开发技术。
人们不禁要问，美国高校林立，其中不乏诸多世界著名大学，世人对北卡州立大学却不甚了解，总统奥巴马为何此次对NCSU“情有独钟”，拨巨款，亲自到场拍板让北卡州立大学承担起下一代新能源技术的研发先锋？
据Triangle Business Journal消息，原因其实很简单。 这个新能源的发明者杰洋特•巴立加（Jayant Baliga）教授目前正在北卡州立大学工作。
新能源的技术核心就是被称为第三代半导体的“宽禁带半导体”（Wide Bandgap Semiconductors）。传统的半导体由于材料特性的限制，其发展的潜力已经所剩无几，而“宽禁带半导体”材料由于其拥有更高的击穿电场、更好的热导率、更大的电子饱和漂移速率和更强的抗辐射能力等等优越性能，开始越来越受到人们的重视。在当今技术发达的军事、航空航天、LED 照明等领域，宽禁带半导体已经崭露头角。人们预料，宽禁带半导体将会很快成为下一代的高效节能半导体材料，从而替代传统的半导体材料。
30多年前，巴立加先生在美国通用电气（General Electric Co.）公司工作时首先推导出来了一个有关宽禁带半导体性能的公式。巴立加先生当时就明确地表示，宽禁带半导体将要比传统的半导体好上1000倍以上！
后来，巴立加先生来到北卡州立大学，开始了他的宽禁带半导体材料和技术的研发工作。北卡州立大学专门为巴立加先生成立了一个名为“新能源半导体研发中心”（Power Semiconductor Research Center）的科研机构, 巴立加先生担任着这个机构的主任一职。在90年代的初期，巴立加先生在北卡州立大学研发出了世上第一个宽禁带半导体。到目前为止，巴立加先生本人在宽禁带半导体技术方面已经拥有20多项发明权。
为了更快地普及宽禁带半导体的工业和商业运用，目前亟待解决如何快速有效地制造出各种不同的宽禁带半导体陈品。奥巴马总统此次携款专程拜访北卡州立大学，其目的就是要让巴立加先生快马加鞭，在宽禁带半导体材料的生产技术研发上有所突破。奥巴马总统一再声称，美国要成为下一个高科技制造业的急先锋。宽禁带半导体的研发正中总统的“下怀”，总统理所当然的要“钦点”北卡州立大学，来实现总统的梦想。
