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新能源开发 奥巴马为何亲睐北卡州立大学?

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(大纪元记者余浩综合北卡报导)美国总统奥巴马上月在北卡州立大学(North Carolina State University, 简称NCSU)面对现场超过2000 多观众宣布,美国联邦政府将拿出一亿四千万美金的巨款,协助NCSU共同研发新一代的能源开发技术。

人们不禁要问,美国高校林立,其中不乏诸多世界著名大学,世人对北卡州立大学却不甚了解,总统奥巴马为何此次对NCSU“情有独钟”,拨巨款,亲自到场拍板让北卡州立大学承担起下一代新能源技术的研发先锋?

据Triangle Business Journal消息,原因其实很简单。 这个新能源的发明者杰洋特•巴立加(Jayant Baliga)教授目前正在北卡州立大学工作。

新能源的技术核心就是被称为第三代半导体的“宽禁带半导体”(Wide Bandgap Semiconductors)。传统的半导体由于材料特性的限制,其发展的潜力已经所剩无几,而“宽禁带半导体”材料由于其拥有更高的击穿电场、更好的热导率、更大的电子饱和漂移速率和更强的抗辐射能力等等优越性能,开始越来越受到人们的重视。在当今技术发达的军事、航空航天、LED 照明等领域,宽禁带半导体已经崭露头角。人们预料,宽禁带半导体将会很快成为下一代的高效节能半导体材料,从而替代传统的半导体材料。

30多年前,巴立加先生在美国通用电气(General Electric Co.)公司工作时首先推导出来了一个有关宽禁带半导体性能的公式。巴立加先生当时就明确地表示,宽禁带半导体将要比传统的半导体好上1000倍以上!

后来,巴立加先生来到北卡州立大学,开始了他的宽禁带半导体材料和技术的研发工作。北卡州立大学专门为巴立加先生成立了一个名为“新能源半导体研发中心”(Power Semiconductor Research Center)的科研机构, 巴立加先生担任着这个机构的主任一职。在90年代的初期,巴立加先生在北卡州立大学研发出了世上第一个宽禁带半导体。到目前为止,巴立加先生本人在宽禁带半导体技术方面已经拥有20多项发明权。

为了更快地普及宽禁带半导体的工业和商业运用,目前亟待解决如何快速有效地制造出各种不同的宽禁带半导体陈品。奥巴马总统此次携款专程拜访北卡州立大学,其目的就是要让巴立加先生快马加鞭,在宽禁带半导体材料的生产技术研发上有所突破。奥巴马总统一再声称,美国要成为下一个高科技制造业的急先锋。宽禁带半导体的研发正中总统的“下怀”,总统理所当然的要“钦点”北卡州立大学,来实现总统的梦想。

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2014-02-07 1:01 PM
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