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【大纪元2016年12月21日讯】研调机构ICInsights看好明年动态随机存取记忆体（DRAM）与储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场可望同步成长，并将带动整体记忆体市场成长10%水准。
IC Insights表示，今年上半年记忆体市场延续2015年疲弱情况，全年市场恐将较去年再衰退1%；不过，下半年记忆体价格走强，市场浮现强劲讯号。
展望未来，IC Insights预期，明年DRAM与NANDFlash平均售价可望同步扬升，将带动整体记忆体市场达853亿美元规模，将较今年成长10%，并将创下历史新高纪录。
其中，DRAM市场明年可望成长11%，IC Insights预估，明年NAND Flash市场也将成长10%。
IC Insights预期，2020年记忆体市场将首度超越美元1000亿大关，2021年将可进一步逼进美元1100亿规模；2016年至2021年记忆体市场年复合成长率将约7.3%。 （转自中央社）
