【大纪元2023年05月05日讯】（大纪元记者张原彰台湾台北报导）台积电与三星在半导体制程上的竞争始终是产业关注焦点，三星电子半导体事业主管庆桂显4日坦言，现阶段确实在技术上输给台积电，但是一但进入到2奈米，将采用的是GAA架构，三星在此领域已领先台积电。对此，台专家表示，三星想要弯道超车台积电，仍有一大段的距离。
综合媒体报导，庆桂显说，三星的4奈米落后2年、3奈米落后3年，但等到进入GAA架构后情势可能逆转。
他说，三星已在3奈米布局GAA架构，而台积电的状况是，3奈米采用鳍式场效电晶体（FinFET）技术，等到2奈米才会导入GAA，三星有自信可以掌握优势，预计在5年内制程技术就可超越台积电。
三星声称3奈米GAA技术能比上一代制程节点提高效能30%、减少耗能50%、缩减晶片面积45%，三星的计划是，明年起根据GAA架构量产2奈米晶片。
庆桂显说，以客户对GAA的接受程度而言，“确实有客户较偏好我们的GAA技术，但我不能透露客户名称，三星的晶圆代工客户群正在扩增”。
对于三星发出5年内在制程技术超越台积电的豪语，台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真表示，三星（Samsung）去年6月就宣布3奈米制程导入环绕闸极（GAA）架构，因良率提升速度较预期缓慢，三星3奈米争取到的客户订单极为有限。
刘佩真说，透过降价抢单策略，传出三星分食到超微或Google部分4奈米订单，不过这些大客户仍主要由台积电代工生产，因为台积电先进制程良率稳定度及整体表现都优于三星。
她进一步分析，台积电囊括全球晶圆代工市场高达58.5%的市占率，远高于三星的15.8%，预期未来三星想要弯道超车台积电，仍有一大段的距离。
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