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【大紀元2011年12月07日訊】英特爾今年量產22奈米元件，台積電3年內轉進14奈米世代，而臺灣國家奈米元件實驗室突破現有半導體元件矽基材缺陷，利用純鍺研製電晶體，成功把電晶體運行速度提升2到4倍，為臺灣半導體技術邁向10奈米開創新局。
今年的「國際電子元件會議」（IEDM）在美國華盛頓舉行，臺灣國家奈米元件實驗室6日發表4篇論文，其中關於「鍺電晶體」和「矽基太陽能自供電力線路模組」都被大會選為「重點宣傳論文」。
奈米元件實驗室副主任吳文發表示，新材料和節能科技的導入，是半導體元件邁向10奈米技術、提升效能和晶片微小化的重要關鍵。國研院新發表的「三角型鍺鰭式電晶體」技術，成功克服了矽基材上的鍺通道，會有許多缺陷的問題，因此可實現高速的10奈米電晶體元件。因為銀是目前電阻值最低的金屬（銀的電阻率僅約鎢30%），以此技術，將可符合10奈米世代的金屬導線製程需求。◇
