台工研院3D IC研发实验室启用

【大纪元6月30日报导】(中央社记者张建中新竹30日电)工研院三维立体积体电路 (3D IC)研发实验室今天落成启用，工研院表示，未来4年内将投入新台币16亿元，发展3D IC技术，为台湾半导体业未来10年发展建立核心基础。

工研院指出，以半导体业平均每10年就面临新技术瓶颈趋势来看，系统单晶片 (SoC)发展即将面临新瓶颈；3D IC能有效增加产品效能、减低功耗、降低成本、缩小体积及整合异质IC，将是未来主流技术之一。

工研院表示，3D IC研发实验室已建构完整且多样化硅基板穿孔 (TSV)相关的3D IC整合系统，包括黄光、蚀刻、电浆强化化学气相沉积、物理气相沉积、铜金属电镀、化学机械研磨及晶片/晶圆接合机等7大设备。

除与美商应材、德国SUSS MicroTec等半导体设备厂进行设备合作研发外，工研院也已与联电、汉民、硅品、日月光、弘塑、东京大学、Cadence、BASF(巴斯夫)等先进堆叠系统与应用研发联盟厂商合作开发。

工研院指出，未来将透过研发联盟及国际联盟运作，共同开发3D IC技术、产品及应用市场，协助产业界在试量产阶段作测试，让厂商迅速将先进晶片设计导入市场，并降低初期投入3D IC的投资风险。

工研院预计4年内投入16亿元，除建立3D IC研发实验室外，并将筹组150人的研发团队，进行设计、制程，及封装技术的整合研发，为半导体业未来发展建立核心基础。