台薄膜电晶体技术受国际瞩目

【大纪元2011年12月07日讯】英特尔今年量产22奈米元件，台积电3年内转进14奈米世代，而台湾国家奈米元件实验室突破现有半导体元件硅基材缺陷，利用纯锗研制电晶体，成功把电晶体运行速度提升2到4倍，为台湾半导体技术迈向10奈米开创新局。

今年的“国际电子元件会议”（IEDM）在美国华盛顿举行，台湾国家奈米元件实验室6日发表4篇论文，其中关于“锗电晶体”和“硅基太阳能自供电力线路模组”都被大会选为“重点宣传论文”。

奈米元件实验室副主任吴文发表示，新材料和节能科技的导入，是半导体元件迈向10奈米技术、提升效能和晶片微小化的重要关键。国研院新发表的“三角型锗鳍式电晶体”技术，成功克服了硅基材上的锗通道，会有许多缺陷的问题，因此可实现高速的10奈米电晶体元件。因为银是目前电阻值最低的金属（银的电阻率仅约钨30%），以此技术，将可符合10奈米世代的金属导线制程需求。◇