【大纪元12月3日报导】（中央社记者林孟汝台北3日电）半导体制程将从传统平面式结构转为立体，继国际大厂推出弯曲式的“鳍式场效电晶体”后，国研院今天发表领先全球的制程技术，首度做出不同高度的电晶体。
国研院奈米元件实验室表示，“鳍式场效电晶体”(FinFET)因形状有如鱼鳍而得名，优点是以“立体”取代“平面”结构，可缩小电晶体在晶片上所占面积，并降低电晶体消耗的电力，提高晶片上可容纳的电子元件密度。
不过，目前全世界晶片上所使用的鳍式电晶体，均是单一鳍高的电晶体。国际大厂英特尔(Intel) 2012年推出同一高度的立体“单一鳍高电晶体”，三星及IBM也预计在14奈米的微处理器上，走向立体式结构。
国研院表示，半导体积体电路的制造，可说是一场尺寸微缩与效能提升的竞赛，半导体元件最先进的制程技术，约可在1平方公分的硅晶片上，容纳约1亿颗电晶体。
国研院领先全球开发出的“多重鳍高的鳍式场效电晶体”制程技术，可让晶片设计更具弹性，并在同样面积上增加约2000万颗电晶体，相当可降低整体制造成本2成，大幅提升国内半导体厂商的国际竞争力。
国研院说，传统场效电晶体、单一鳍高鳍式场效电晶体、多重鳍高鳍式场效电晶体，可以平房、高楼层单一面积房屋、以及高楼层却拥有不同建筑格局的房屋形容。
在有限的晶片面积上，多重鳍高鳍式场效电晶体可让不同大小的电流“各住适合的房型”，达到晶片空间利用的最佳化。
国研院表示，12月起开放制作平台给国内学术界研发各种元件雏型与制程技术，让学术前瞻研究与产业接轨；预估可在5年内协助业界量产“多重鳍高的鳍式场效电晶体”。
