窃取GE商业机密 美华人工程师被判罚5千元

【大纪元2021年05月01日讯】（大纪元记者蔡溶美国纽约报导）纽约上州尼斯卡尤纳市（Niskayuna）现年43岁的隋杨（Yang Sui，音译），因涉嫌盗窃通用电气（GE）的商业秘密，昨天（4月30日）被判处1年缓刑（守行为一年），并支付5,000美元的罚款。

半导体工程师隋杨去年在纽约北区联邦法庭认罪，承认他在2015年至2017年间，窃取了多个电子文件，其中包含通用电气公司围绕其碳化硅金属（MOSFET）的研究、开发、设计和制造所拥有的商业秘密。

MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。根据起诉书，碳化硅MOSFET被用于通用电气的各种零件和产品，包括航空设备和风力涡轮机。

隋杨进一步承认，大约在2017年，他正在制定商业计划，准备创办自己的公司，该公司的目标是制造和销售MOSFET。

不过，没有证据表明隋杨将MOSFET的商业机密转移给了其他任何人。

联邦调查局对此案进行了调查，并由国家安全局隶属的司法部反情报和出口管制科负责起诉。

责任编辑：李薇