台积电荣获台行政院“杰出科学与技术人才奖”

【大纪元12月22日讯】(中央社记者张良知台北二十二日电)台积电今天以领先全球的“0.13微米SoC低介电质铜导线先进逻辑制程技术”荣获行政院92年度“杰出科学与技术人才奖”。此一国家级最高荣誉的技术奖项，不仅是对台积电先进技术能力的肯定，评审团更一致认为该技术对国家经济有重大贡献，并且是以研究发展落实国家硅岛政策的表率。

台积电公司表示，在行政院公布的得奖事迹说明中指出，台积电公司半导体制程技术上由过去技术追随者进步到技术领先者，其中极具代表性与突破性的技术里程碑，应首推此次获奖的创新发明“0.13微米SoC低介电质铜导线先进逻辑制程技术”。

台积电的0.13微米技术涵盖世界级的多种SoCCMOS电晶体制程平台，领先业界的设计尺规，超小型的静态随机存取记忆体（SRAM, 2.43-1.87 um2），世界最新的193奈米微影技术，和世界第一的八层低介电质（k﹤＝2.9）铜导线；尤其低介电质铜导线制程在业界率先开发成功，领先全球，并且顺利导入量产使该项技术得以领先国际知名IDM公司，巩固台湾在世界电子产业的国际地位。

而此次评审团认为，该技术目前在8吋与12吋上量产已超过40万片约当8吋晶圆，为台积电与国家带来近400亿元的营收，未来数年产值预期更将高达数千亿元，对于国家经济贡献良多。此研究成果亦将可继续应用于90及65奈米制程上，在延伸摩尔定律上，并具有指标性的价值。

台积电副总执行长曾繁城表示，台积电的愿景是“成为全球最先进、最创新、以及最大的专业积体电路制造服务业者，并且与我们的客户群共同组成半导体产业中最坚强的竞争团队。”，而台积电此次以0.13微米制程技术相关的成果获奖，除了技术能力获得肯定外，更是该公司成功地使用0.13微米制程技术，包括关键的low-k技术，为客户进行产品量产，提供最具竞争力的积体电路制造服务，并更进一步推出下一世代的90奈米制程技术供客户选择，实现台积电愿景的最佳例证。

台积电此项得奖技术，是由研发副总蒋尚义博士领军，团队成员包括负责先进模组的梁孟松博士，领导铜导线和低介电材料整合的余振华博士，开创193奈米黄光制程的林本坚博士，以及负责良率提升和整合整体逻辑制程的孙元成与杨光磊博士，共同带领该公司坚强的研发团队所缔造的优异成果。

蒋尚义副总回顾该技术的开发过程中，最值得一提的关键决定是，“台积电在技术开发之初，回绝了将研发人员派驻美国与另一国际知名IDM公司的合作方式，而选择了自行研发并将团队基地建立在新竹公司总部的模式，最后不仅领先自行开发完成，更让台积电的研发团队在国内生根并保有自主及领先的技术能力。”

台积电目前已使用0.13微米制程为客户生产的230多个产品中，其应用分布在消费性、电脑以及通讯产品等领域，预期今年0.13微米制程产品的出货量将可望超过40万片8吋晶圆约当量。同时在其中关键的0.13微米低介电系数 (low-k dielectric)制程技术方面，台积电也是业界第一家成功通过多家客户产品验证并进行量产的公司。(http://www.dajiyuan.com)