台放宽八吋晶圆 0.18微米制程登陆

【大纪元12月29日报导】（中央社记者李佳霏台北二十九日电）台湾行政院大陆委员会与经济部今天下午五时同步宣布，放宽八吋晶圆零点一八微米制程赴中国投资。不过，这项决定是限于台湾母公司与其中国投资事业间的内部技术移转，且以自用为限。

陆委会并指出，中国投资事业若因经营所需与当地其他事业进行非关键制程的技术合作，需送经济部备查，以确保台湾核心优势不致遭到削弱。

陆委会副主任委员刘德勋下午召开记者会，说明政府决定放宽八吋晶圆制程技术赴中国投资的主要考量，并认为，这项放宽措施对半导体产业是“利多于弊”。

他指出，瓦圣那协议已在民国九十三年十二月修正，将半导体制程设备管制由零点三五微米放宽到零点一八微米，美国政府也已修正其出口管制清单，目前零点一八微米以上制程不再管制，零点一八微米以下制程则依个案审查原则进行。

刘德勋说，鉴于半导体零点一八微米以上制程设备在国际上已不受任何限制，台湾也有必要放宽现行零点二五微米的限制，以便与国际规范同步。

他表示，目前国内半导体业共有十座十二吋厂，占全球四分之一，制程技术也普遍进入九零奈米及六五奈米世代，与零点二五微米已有四个世代的差距，因此，开放零点一八微米以上制程，对国内半导体业影响微乎其微。

刘德勋并指出，中国晶圆厂从国际引进技术，目前已普遍使用零点一八微米至零点一三微米制程技术，并已进入九零奈米世代，另外，中国半导体设计业超过半数运用零点一八至零点一三微米技术进行数位产品的设计，台湾政府限制在中国投资厂商仅能运用零点二五微米制程技术，已明显影响台湾晶圆厂中国投资事业在中国市场的竞争力。

他说，从市场竞争观点来看，台湾政府限制零点一八微米制程技术难以对中国本地业者构成技术取得障碍，反而可能压缩台湾厂商生存发展空间，使当年开放晶圆厂赴中投资的政策目标难以达成。

刘德勋认为，鉴于台湾半导体业者的技术优势除制程技术外，更重要的是晶圆制造的整合管理技术，为避免在中国形成技术扩散的效应，致使对国内半导体构成竞争压力，未来零点一八微米制程技术，“将限于台湾母公司与其中国投资事业间的内部技术移转，且以自用为限”。

他说，经济部及相关机关已建立配套管理措施，国内晶圆制造业申请赴中国投资，须依据经济部今天发布修正的“在大陆地区投资晶圆厂审查及监督作业要点”及在十二月十四日公告的“在大陆地区重大投资案件政策面审查协调作业要点”等相关规定办理，并由相关机关首长组成跨部会审查及监督小组，就这项投资进行审查及事前与事后的监督与管理。

刘德勋指出，另外，在科技保护法通过立法前，政府会依据“经济部半导体产业赴中国大陆地区投资或技术合作之监督管理作业机制”，成立监督委员会，对半导体产业设厂后的设备输出及技术移转等事项作有效管理。