【大纪元4月26日报导】（中央社记者杨淑闵台北二十六日电）台湾经济部等机关今天在立院报告太阳光电能源研发成果。经济部常次谢发达表示，经济部已促成技术授权金额新台币4729万元，产业投资28.4亿元；2008年目标为台湾太阳能电池生产设备自制力提升到 50%（目前 18%到 20%）。
立法院科技及资讯委员会今天邀请经济部、财团法人工业技术研究院、国防部军备局中山科学研究院、行政院原子能委员会核能研究所、财团法人国家实验研究院等首长，就“国内太阳光电能源研发单位之成果”进行专案报告。
谢发达指出，经济部推动太阳光电产业研发策略与分工，包含工业局及技术处“发展多晶硅材料生产技术”，已完成高纯度方向性铸造原型设备技术及小型放大试产的设备与试车。
能源局“开发高效率与低成本硅晶太阳电池”，目前单晶硅转换效率为17%，多晶硅为15%，预计2010年前单晶硅可达20%，多晶硅可达18%，薄晶片生产技术厚度小于 170微米，每千瓦成本由 3美元降到 2美元。
能源局及技术处“开发次世代技术，建立太阳光电新产业供应链”，内容包含硅薄膜太阳电池，将于2010年开发出转换效率 14%以上的高品质微晶硅薄膜太阳电池；2006年则已完成小面积高效率染料敏化太阳电池技术开发，转换效率为10.12%。
而化合物薄膜太阳电池未来材料成本为每瓦 1美元，发电成本为每度电10美分；第三代太阳电池目标为开发光电转换效率 10%的小型元件。
并由能源局“建立太阳光电模组检测验证技术”，目标为2008年完成首座太阳光电模组检测验证实验室，并通过CBTL（Certification Body TestingLaboratory ）国际认证。
工业技术研究院院长李钟熙指出，全球太阳光电产业规模2006年约88亿美元，2013年将成长到 308亿美元（3.5倍），未来10年平均年增率为 25%到 30%；而台湾太阳电池产值2004年全球市占率2%（28亿美元），2006年则是7%（ 212亿美元），产值成长 7.3倍。
