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【大紀元6月26日訊】南京大學、中科院物理所和摩托羅拉中國研究院昨天在京宣布，他們發現鋁酸鑭(LAO)和鑭鋁氧氮(LAON)這兩种材料在所有候選的高介電常數材料中具有最好的熱穩定性，能很經濟地集成到傳統的半導体工藝過程中，有希望在65納米以下工藝中替代二氧化硅，用作半導体晶体管的柵介質層，或者用作半導体電容的介電材料，有望代替傳統的二氧化硅，從而在下一代的半導体元器件制造中扮演重要角色。
中新6月26日報道，自半導体工業幵始40多年來，二氧化硅一直被用作晶体管中的柵介質和電容介質。隨著半導体集成電路加工工藝的不斷升級，晶体管器件的尺寸越來越小，二氧化硅層的厚度也必須減小，以維持電容不變。正在幵發的65納米工藝線中，二氧化硅層的厚度要求小于2納米。但是，在這么薄的二氧化硅層中容易被電流穿透，因而，科學家們一直在尋找一种新的材料來替代二氧化硅，這已成為整個微電子工業最迫切需要解決的問題之一。(http://www.dajiyuan.com)
