台中研院士胡正明在美获奖 奥巴马颁奖

【大纪元2015年12月31日讯】（中央社台北31日电）中研院今天表示，中研院士胡正明获在半导体领域有卓越贡献，近日荣获美国“国家技术与创新奖章”，美国总统奥巴马将于明年1月在白宫颁奖。

“国家技术与创新奖章”是美国白宫于1980年设立，由代表政府和民间杰出人士所组成的独立委员会向美国总统提名。该奖章是美国科学与创新技术领域最高的荣誉肯定，表彰获奖者对大幅增进国家竞争力或改善国民生活品质的卓越贡献。

中研院表示，美国白宫日前宣布“国家技术与创新奖章”获奖名单，今年共有8人获奖，其中包含中研院士胡正明，奥巴马总统将于明年1月白宫颁奖典礼中亲自颁授奖项。

胡正明目前是美国加州柏克莱大学教授，曾担任台湾积体电路公司首任技术长，是半导体领域中的先驱领导者，终身潜心于研发体积更小、耗电更少、性能更强、更可靠的电脑晶片。

中研院表示，胡正明开发的“电脑模拟微电路模式BSIM系列”于1996年成为国际标准，至今仍继续研究更新，免费供全球使用，以此系列所设计的半导体晶片产值超过数千亿美元；而胡正明最新研发的全新“三维FinFET”半导体晶片技术，是50年来半导体的革命性创新，目前已使用于最新的苹果和三星手机、电脑服务器等。