【大纪元7月24日讯】〔自由时报记者洪友芳／新竹报导〕力晶〔5346〕董事长黄崇仁昨指出，该公司第四季将采70奈米量产8G容量的NAND Flash（快闪记忆体 )，继韩国三星、海力士之后，为全球第三家有能力同时量产DRAM与Flash双记忆体产品线的公司。
黄崇仁并看好下半年的DRAM走势，认为第三季因供给增加有限，市场需求却强劲，预估512Mb DRAM价格约可回升到2.5美元，第四季将涨到三美元。
力晶昨举行法说会并公布第二季财报，第二季毛利率为-16.49%，税后亏损38.44亿元，居DRAM同业之冠，每股亏损0.56元；上半年税后盈余36.88亿元，每股盈余0.54元，次于华亚科（3474 )1.33元。
力晶副总经理谭仲民指出，该公司目前70奈米制程良率已达80%，每片晶圆产出约达1,400多颗512Mb、700多颗1Gb晶粒数，成本为同业最低。力晶预计第三季正式量产70奈米制程的1Gb产品。力晶与尔必达合资成立的瑞晶将是产能主力，7月以70奈米制程正式量产。
谭仲民转述，力晶与日商瑞萨策略联盟，已投入研发NAND Flash三年，培育约400位工程师，第四季将在12A、B厂以70奈米量产8G容量产品，下半年将动土兴建12C、D厂，专门生产NAND Flash，初步规划两座厂月产能达12万片。
法人估计NAND Flash明年下半年挹注力晶营运才会较明显。
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