【大紀元4月25日報導】（中央社記者吳佳穎台北25日電）不讓英特爾 (Intel)與美光20奈米製程專美於前，快閃記憶體另一陣營SanDisk與東芝宣布推出採用19奈米製程技術的64GBx2(2-bits-per-cell)記憶體晶片，強調效能與穩定度。
SanDisk(晟碟)表示，這項最新的技術將有助SanDisk 日後針對手機、平板電腦與其他裝置，推出兼具高容量與小尺寸的嵌入式可抽取儲存裝置。
SanDisk計畫在第2季將這項19奈米製程的64GB x2晶片送樣，2011年下半年開始量產；屆時SanDisk還會推出19奈米製程x3 (3-bits-per-cell)的晶片。
SanDisk執行副總裁暨技術長Yoram Cedar表示，在和東芝 (Toshiba)持續合作下，這款採用19奈米製程技術，是領先業界、尺寸最小、成本最低的NAND flash(儲存型快閃記憶體)晶片。
SanDisk表示，19奈米製造技術不僅在製程方面更為先進，在元件設計上，SanDisk擁有專利All-Bit-Line (ABL)架構和多層資料儲存管理方案，有助生產多層電路元 (Multi-level Cell, MLC) NANDflash晶片，效能與穩定度更優異。
