【大纪元2023年10月31日讯】（大纪元记者侯骏霖报导）美国近期不断升级对中国晶片出口管制，但韩国媒体“BusinessKorea”30日报导，中国记忆体巨头长江存储已成功开发并量产232层NAND快闪记忆体，缩短与韩国企业包含三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士的差距。
该媒体引述《南华早报》报导指出，半导体分析公司TechInsights发布一份报告揭露，在今年7月推出的1TB消费级固态硬碟（SSD）致钛（ZHITAI）600商品中，发现长江存储生产的232层4层单元（QLC）3D NAND记忆体。
三星电子虽未对外透露相关数据，但市场传闻其NAND最高堆叠层数为236层，而SK海力士NAND则为238层，也意味着长江存储可能开始缩小与韩国企业的差距。
华为自今年8月推出Mate 60 Pro智慧型手机采用中芯国际7奈米晶片后，中国似乎克服美国实施的贸易制裁，并建立其自身半导体供应链。《南华早报》4月曾报导，长江存储在美国制裁的情况下，计划使用国产设备生产先进的3D NAND。
NAND需要先进的叠层技术，是一种即使断电也能保存数据的记忆半导体，由于叠层会影响数据容量的多寡，为NAND竞争关键。不过，TechInsights报告对于长江存储的3D NAND，是否完全以中国设备或元件生产并无着墨。
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