【大紀元2023年10月31日訊】（大紀元記者侯駿霖報導）美國近期不斷升級對中國晶片出口管制，但韓國媒體「BusinessKorea」30日報導，中國記憶體巨頭長江存儲已成功開發並量產232層NAND快閃記憶體，縮短與韓國企業包含三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士的差距。
該媒體引述《南華早報》報導指出，半導體分析公司TechInsights發布一份報告揭露，在今年7月推出的1TB消費級固態硬碟（SSD）致鈦（ZHITAI）600商品中，發現長江存儲生產的232層4層單元（QLC）3D NAND記憶體。
三星電子雖未對外透露相關數據，但市場傳聞其NAND最高堆疊層數為236層，而SK海力士NAND則為238層，也意味著長江存儲可能開始縮小與韓國企業的差距。
華為自今年8月推出Mate 60 Pro智慧型手機採用中芯國際7奈米晶片後，中國似乎克服美國實施的貿易制裁，並建立其自身半導體供應鏈。《南華早報》4月曾報導，長江存儲在美國制裁的情況下，計劃使用國產設備生產先進的3D NAND。
NAND需要先進的疊層技術，是一種即使斷電也能保存數據的記憶半導體，由於疊層會影響數據容量的多寡，為NAND競爭關鍵。不過，TechInsights報告對於長江存儲的3D NAND，是否完全以中國設備或元件生產並無著墨。
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