大紀元

報告:再證中國最先進晶片製程仍明顯落後

報告:再證中國最先進晶片製程仍明顯落後
圖為高頻寬記憶體(HBM)晶片示意圖。(Shutterstock)
2026-08-3008:19 中港台時間
人氣 44

【大紀元2026年08月30日訊】(大紀元記者李思齊綜合報導)全球半導體技術分析公司TechInsights於8月27日發布了對華為海思麒麟9030 Pro的分析報告。該新分析為之前的結論提供了實證資料:該晶片所採用的中芯國際N+3製程,在整體製程密度與先進程度上仍遠低於台積電或三星已商業化的5nm製程。

8月27日,總部位於加拿大的TechInsights在其官網發布了題為「海思麒麟9030 Pro製程流程分析:中芯國際的N+3製程與業界先進製程節點相比如何?」(HiSilicon Kirin 9030 Pro Process Flow Analysis: How Does SMIC’s N+3 Process Compare to Leading-Edge Nodes?)的分析報告。截至目前,SMIC N+3是公開資料所能確認的中國最先進國產邏輯製程。

TechInsights表示,已對海思麒麟9030 Pro的中芯國際(SMIC) N+3進行製程逆向工程分析,並把SMIC N+3製程與業界先進製程節點做了對比。此分析是試圖回答外界高度關注的問題——SMIC N+3與台積電、三星領先製程相比,究竟還有多少差距?

TechInsights表示,外界一直在關注中芯國際在持續受到出口管制,極紫外光(EUV)微影技術的情況下,在先進邏輯製程方面的進展,以及為華為等中國企業製造先進晶片的真實能力。

TechInsights先前已拆解華為智能手機Mate 80 Pro Max搭載的麒麟9030。當時外界對這款處理器究竟採用5nm、6nm,或SMIC N+2改良製程眾說紛紜。由於中芯並未公布相關製程路線圖,TechInsights通過晶片結構及尺寸實測,最終確認麒麟9030採用的是SMIC N+3,是中芯國際7nm級製程的縮放演進版本。

先前的分析顯示,相較於SMIC N+2,SMIC N+3實現了顯著的電晶體密度提升,但同時也證實,SMIC N+3的縮放程度仍明顯落後於台積電與三星商用的5nm製程。TechInsights的新分析為這些比較提供了實證依據。

TechInsights的競爭對手SemiAnalysis在一個多月前已經對SMIC N+3做了逆向分析。

SemiAnalysis在7月14日發布的分析結果中明確指出:麒麟9030 Pro的性能與三年前的安卓旗艦機型相仿,遠遜於蘋果、高通、聯發科和三星目前的旗艦級單晶片系統。

SemiAnalysis稱:通過先進的DUV多重曝光技術和設計協同優化,SMIC N+3製程實現了與台積電6nm製程相當的密度,但代價是製程複雜,並且效率和控制方面有所降低。

SMIC N+3需要更複雜的DUV多重曝光技術,因此在製程成熟度和成本方面仍不及台積電6nm製程。

就華為的海思麒麟9030 Pro是否能用於AI數據中心,TechInsights在今年3月份已做了分析,結論是:「儘管中國已經能夠利用SMIC N+3製程節點,製造出達到產品品質要求的智能手機晶片,但我們認為,這套製程並不適合用於資料中心AI晶片。其原因在於,DUV光刻技術本身的限制,還有SMIC N+3製程仍相對新,兩者疊加之下,可能導致良率偏低。而資料中心AI晶片的尺寸遠大於智慧型手機晶片,因此這種良率問題會更加明顯。」

責任編輯:孫芸#

如果您有新聞線索或資料給大紀元,請進入安全投稿爆料平台

留言

  • 大紀元保留刪除惡意留言的權利,包括低俗、誤導或攻擊信仰等內容
本網站圖文內容歸大紀元所有, 任何單位及個人未經許可,不得擅自轉載使用。
Copyright© 2000 - 2026 The Epoch TimesAssociation Inc.All Rights Reserved.