【大紀元5月1日報導】（中央社記者張建中新竹一日電）今年來DRAM產品價格急遽滑落，目前已逼近廠商生產成本，推進製程技術、降低成本，成為各DRAM廠營運當務之急；國內DRAM廠以力晶、茂德製程技術推進速度最快，力晶70奈米512MbDRAM將於第二季量產，茂德70奈米也將於4月大量產。
根據集邦科技調查，今年來DDR2現貨價跌幅高達6成；包括力晶及茂德等DRAM業者證實，目前DRAM 價格已逼近公司生產成本，4月業績恐將落在損益兩平邊緣。
力晶副總經理暨發言人譚仲民曾表示，目前DRAM價格對於各DRAM製造廠將產生很大壓力，今年應是全球DRAM產業優勝劣敗關鍵的一年。
由於製程技術推進有助於DRAM製造廠降低成本，譚仲民即指出，70奈米製程材料成本增加有限，DRAM位元產出卻可望較90奈米製程增加達55%。茂德董事長陳民良也說，70奈米製程單顆成本效益逾3成，因此推進70奈米製程成為當前各DRAM廠營運重點。
集邦科技也表示，即便DRAM市場可望於第二季落底，不過70奈米製程技術良率及生產比重高低，將是攸關各DRAM製造廠下半年營運勝敗的一大關鍵。
觀察目前國內各DRAM廠製程技術推進情況，以茂德與力晶進度最快，其中茂德70奈米512Mb DDR2已於3月完成內部驗證作業，預計4月投片1.6萬片，至今年底公司中科三廠全產能月產6.5萬片，將全數轉進70奈米，另外公司中科四廠第四季也將以70奈米製程切入量產。
力晶目前70奈米製程試產良率已達8成以上水準，預計第二季70奈米512Mb DRAM將投入量產，70奈米1GbDRAM將於下半年投入量產。
華亞科為符合大股東兼大客戶奇夢達現行產品需求，公司決定下半年先行導入80奈米溝槽式製程技術，預計第四季進一步推進至70奈米製程；另外，南科首座自建12吋廠於今年下半年完工後，也將直接以70奈米製程切入生產，製程推進速度相對落後。
