【大纪元10月9日报导】（中央社新竹9日电）苹果iPhone 6S/6S Plus行动记忆体容量倍增至2GB，只是仍无法扭转动态随机存取记忆体(DRAM)市场供过于求情况，产品价格频频破底。
市场原本期望，苹果iPhone 6S/6S Plus行动记忆体容量倍增，可望有助去化DRAM产能，将有利支撑DRAM产品价格表现。
尽管iPhone 6S/6S Plus行动记忆体容量如预期倍增至2GB，只是整体智慧手机市场需求不如预期，加上个人电脑市场持续低迷不振，致DRAM市场依然供过于求，产品价格表现超乎预期疲弱。
据市调机构集邦科技调查，DDR3 4Gb颗粒现货价已滑落至2.1美元，创2012年12月12日来新低价。
DRAM厂南亚科(2408)预期，第4季产品价格恐将较第3季再滑落。
集邦科技也预期，在市场库存压力依然沉重下，第4季单月DRAM价格跌幅恐将达5%至7%水准，单季产品价格跌幅可能达15%；集邦科技表示，若苹果iPhone 6S/6S Plus行动记忆体容量未倍增，跌价幅度恐将更大。
