iPhone 6S容量倍增 難挽DRAM頹勢

【大紀元10月9日報導】（中央社新竹9日電）蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量倍增至2GB，只是仍無法扭轉動態隨機存取記憶體(DRAM)市場供過於求情況，產品價格頻頻破底。

市場原本期望，蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量倍增，可望有助去化DRAM產能，將有利支撐DRAM產品價格表現。

儘管iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量如預期倍增至2GB，只是整體智慧手機市場需求不如預期，加上個人電腦市場持續低迷不振，致DRAM市場依然供過於求，產品價格表現超乎預期疲弱。

據市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆粒現貨價已滑落至2.1美元，創2012年12月12日來新低價。

DRAM廠南亞科(2408)預期，第4季產品價格恐將較第3季再滑落。

集邦科技也預期，在市場庫存壓力依然沉重下，第4季單月DRAM價格跌幅恐將達5%至7%水準，單季產品價格跌幅可能達15%；集邦科技表示，若蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量未倍增，跌價幅度恐將更大。