标签:
挑战
【大纪元8月27日报导】（中央社记者叶子纲云林县二十七日电）台湾自旋科技研究中心今天举办第一届国际性“自旋电子学专题论坛”，邀请来自美国、俄国、瑞典、日本、韩国及国内中央研究院、台湾大学等学者专家，齐聚一堂，进行二天的交流。
正当世界各国积极投入“奈米级磁阻式随机存取记忆体”（MRAM）研发的时刻，成立于民国九十二年十月的台湾自旋科技研究中心（Taiwan Spin ResearchCenter），最近发表制造五十奈米记忆元的最新技术，并在今天举行台湾首见的自旋电子学国际论坛，希望在台湾建立自旋电子研发重镇，并提高国际声望。
云林科技大学指出，自旋科技研究中心以自旋电子学、积体奈米科技的应用开发等领域的研究及人才培育为主，研究领域包括磁阻式随机存取记忆体（MRAM）、自旋电子元件（Spintronics devices）、自旋电晶体（Spin Transistor）、量子电脑逻辑元件（QuantumComputer）等核心技术的开发与相关基础研究。
自旋中心的 MRAM 研发技术，突破传统记忆元界限达到五十奈米，因此，各校中心负责人云科大教授吴德和、中正大学教授陈恭、彰化师大教授洪连辉被誉为台湾自旋科技三巨头，对于技术上的突破，吴德和表示，接下来将致力于完成量测及运用，达到记忆体可读、可写的应用阶段，预计今年年底向经济部提出具体研究报告。
为了分享台湾研发 MRAM 的新研发技术，自旋中心邀请国内外的专家学者齐聚云科大，举行二天的自旋电子学议题对谈，希望借着国际论坛的交流，提升台湾在自旋电子学的研究水准，并建立产学合作的平台，开启台湾在自旋电子应用的新发展。
