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突破記憶元新技術 自旋科技中心挑戰研發

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【大紀元8月27日報導】(中央社記者葉子綱雲林縣二十七日電)台灣自旋科技研究中心今天舉辦第一屆國際性「自旋電子學專題論壇」,邀請來自美國、俄國、瑞典、日本、韓國及國內中央研究院、台灣大學等學者專家,齊聚一堂,進行二天的交流。

正當世界各國積極投入「奈米級磁阻式隨機存取記憶體」(MRAM)研發的時刻,成立於民國九十二年十月的台灣自旋科技研究中心(Taiwan Spin ResearchCenter),最近發表製造五十奈米記憶元的最新技術,並在今天舉行台灣首見的自旋電子學國際論壇,希望在台灣建立自旋電子研發重鎮,並提高國際聲望。

雲林科技大學指出,自旋科技研究中心以自旋電子學、積體奈米科技的應用開發等領域的研究及人才培育為主,研究領域包括磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、自旋電子元件(Spintronics devices)、自旋電晶體(Spin Transistor)、量子電腦邏輯元件(QuantumComputer)等核心技術的開發與相關基礎研究。

自旋中心的 MRAM 研發技術,突破傳統記憶元界限達到五十奈米,因此,各校中心負責人雲科大教授吳德和、中正大學教授陳恭、彰化師大教授洪連輝被譽為台灣自旋科技三巨頭,對於技術上的突破,吳德和表示,接下來將致力於完成量測及運用,達到記憶體可讀、可寫的應用階段,預計今年年底向經濟部提出具體研究報告。

為了分享台灣研發 MRAM 的新研發技術,自旋中心邀請國內外的專家學者齊聚雲科大,舉行二天的自旋電子學議題對談,希望藉著國際論壇的交流,提升台灣在自旋電子學的研究水準,並建立產學合作的平台,開啟台灣在自旋電子應用的新發展。

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