【大紀元2017年11月29日訊】記憶體製造廠旺宏研發實力獲國際肯定，今年有4篇論文入選國際電子元件大會(IEDM)，其中一篇探討3D NAND Flash創新結構的論文更獲選為亮點論文。
旺宏指出，今年獲選為IEDM亮點論文的研究成果，主要是揭露一個嶄新的3D儲存型快閃記憶體(NANDFlash)記憶晶胞架構。
由旺宏獨立的研發的平坦垂直渠道型電晶體結構(SGVC)，相較其他記憶體大廠現有技術，以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度；旺宏SGVC只要堆疊16層，記憶體密度便可達到現行閘極環繞型結構堆疊48層的效果。
此外，SGVC還可大幅減少幾何效應對整體電性的敏感度，適合需要頻繁讀取資料的各式應用。
旺宏其他入選的3篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，降低3D NAND Flash中相鄰Wordline(WL)的干擾問題，一篇是探究ReRAM元件在高阻態的變化機制。
另一篇則是探討相變化記憶體所採用選擇器元件的材料問題，旺宏發現，在碲砷鍺矽(TeAsGeSi)4種合成化合物中，若是摻入硒(Se)，可促使選擇器具備更佳的電性開關行為。(轉自中央社）
