【大纪元2017年11月29日讯】记忆体制造厂旺宏研发实力获国际肯定，今年有4篇论文入选国际电子元件大会(IEDM)，其中一篇探讨3D NAND Flash创新结构的论文更获选为亮点论文。
旺宏指出，今年获选为IEDM亮点论文的研究成果，主要是揭露一个崭新的3D储存型快闪记忆体(NANDFlash)记忆晶胞架构。
由旺宏独立的研发的平坦垂直渠道型电晶体结构(SGVC)，相较其他记忆体大厂现有技术，以相同的堆叠层数却可达到2至3倍的记忆体密度；旺宏SGVC只要堆叠16层，记忆体密度便可达到现行闸极环绕型结构堆叠48层的效果。
此外，SGVC还可大幅减少几何效应对整体电性的敏感度，适合需要频繁读取资料的各式应用。
旺宏其他入选的3篇技术论文，一篇是藉由电脑模拟的协助，降低3D NAND Flash中相邻Wordline(WL)的干扰问题，一篇是探究ReRAM元件在高阻态的变化机制。
另一篇则是探讨相变化记忆体所采用选择器元件的材料问题，旺宏发现，在碲砷锗硅(TeAsGeSi)4种合成化合物中，若是掺入硒(Se)，可促使选择器具备更佳的电性开关行为。(转自中央社）
