site logo: www.epochtimes.com

搶攻高速運算商機 工研院與台積電開發磁性記憶體

人氣: 88
【字號】    
   標籤: tags: , , ,

【大紀元2024年01月17日訊】(大紀元記者侯駿霖台灣台北報導)隨著人工智慧(AI)、5G及智慧連網(AIoT)時代來臨,能夠快速處理大量資料的新世代記憶體將成為發展關鍵之一。工研院17日表示,與晶圓製造龍頭台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(SOT-MRAM),不但技術領先國際,功耗更能降低百倍之多。

工研院電光所所長張世杰表示,工研院與台積電繼去年在全球半導體領域頂尖的「超大型積體技術及電路國際會議」共同發表論文後,今年更開發出兼具低功耗、1010奈秒(ns)高速工作等優點的SOT-MRAM單元,並結合電路設計完成記憶體內運算技術,讓運算效能有飛躍式的提升。

他說,不但跳脫MRAM以記憶體為主的應用情境,雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。SOT-MRAM在功耗方面,更只有STT-MRAM的百分之一,該技術未來可應用在高效能運算(HPC)、AI及車用晶片等。

工研院指出,這次藉由工研院與台積電雙方共同合作,強強聯手,發表重要研發成果,將引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群,維持台灣半導體的國際競爭優勢。

工研院表示,在「智慧化致能技術」應用領域,也持續研究發展非揮發性記憶體創新技術,期望開拓新記憶體市場的新星,協助國內產業界,發展高價值的技術與產品。

責任編輯:呂美琪

評論