Flash產值估超越DRAM

【大紀元12月21日報導】(中央社記者張建中新竹21日電)研調機構IC insights預期，今年整體快閃記憶體(Flash)市場產值可望達304億美元，將首度超越動態隨機存取記憶體(DRAM)。

IC insights表示，在智慧手機、平板電腦及其他個人多媒體裝置強勁需求趨動下，包括儲存型快閃記憶體(NAND Flash)及編碼型快閃記憶體(NOR Flash)整體Flash市場，今年產值可望達304億美元，將年增2%。

反觀DRAM市場，受需求疲弱，產品價格低迷影響，IC insights預期，今年DRAM產值恐將自去年的313億美元，滑落至280億美元；整體Flash市場產值將首度超越DRAM。

IC insights還指出，明年光NAND Flash產值便可超越DRAM；預期2012至2017年NAND Flash產值年複合成長率可望達14%，將逐步拉大與DRAM間的差距。