【大紀元6月24日報導】(中央社記者張建中新竹24日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布，3D(3維)儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)技術研發成果獲VLSI評選為重要焦點論文。
旺宏總經理盧志遠表示，NAND Flash製程技術推進快速，將率先面臨摩爾定律的極限，根據ITRS(全球半導體製程藍圖制定委員會)評估，2014年3D技術將提供一個NAND Flash得以持續微縮的解決方案。
盧志遠指出，旺宏的3D NAND Flash是採用75奈米自行研發的能隙工程電荷侷限儲存元件 (BE-SONOS)技術，通過組合8層結構單元，將每個單元記憶體面積縮小至0.0014平方微米。
值得注意的是，實驗顯示除了沒有單元記憶體間垂直方向相互干擾問題，同時具良好讀取電流及多元記憶能力。
旺宏3D NAND Flash技術研發成果順利獲得素有IC整合技術界奧林匹克的VLSI評選為重要焦點論文肯定。
