Flash产值估超越DRAM

【大纪元12月21日报导】(中央社记者张建中新竹21日电)研调机构IC insights预期，今年整体快闪记忆体(Flash)市场产值可望达304亿美元，将首度超越动态随机存取记忆体(DRAM)。

IC insights表示，在智慧手机、平板电脑及其他个人多媒体装置强劲需求趋动下，包括储存型快闪记忆体(NAND Flash)及编码型快闪记忆体(NOR Flash)整体Flash市场，今年产值可望达304亿美元，将年增2%。

反观DRAM市场，受需求疲弱，产品价格低迷影响，IC insights预期，今年DRAM产值恐将自去年的313亿美元，滑落至280亿美元；整体Flash市场产值将首度超越DRAM。

IC insights还指出，明年光NAND Flash产值便可超越DRAM；预期2012至2017年NAND Flash产值年复合成长率可望达14%，将逐步拉大与DRAM间的差距。