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【大纪元2月21日报导】(中央社记者张建中新竹21日电)2 月下旬DRAM与Flash合约价走势不同调；据调查显示，其中，DDR2 1Gb价格持平表现，Flash市场主流8Gb MLC价格则暴涨32.5%。
动态随机存取记忆体 (DRAM)与储存型快闪记忆体(NAND Flash)，因供应商减产效应发酵，现货价陆续于去年12月止跌弹升，反弹幅度多逾1倍水准。
只是在产品价格暴涨后，近期DRAM与Flash现货价纷纷涨多回档，其中，DDR2 1Gb eTT(有效测试颗粒)价格已自1.21美元，下滑至0.87美元，修正幅度逼近3成水准，并创下今年来最低价。
Flash现货价表现则相对稳定，其中，8Gb MLC现货价自近期高点2.94美元，滑落至2.84美元，跌幅约3.4%；16Gb MLC现货价也仅下滑约3.45%。
随着现货价表现强弱分明，2月下旬DRAM与Flash合约价表现因而不同调；其中，DRAM合约价仅持平表现，Flash合约价表现相对强劲。
根据集邦科技调查，8Gb MLC合约价大涨32.5%，16Gb MLC也上涨12.02%。
展望未来，DRAM厂表示，目前产品价格依然低于制造厂现金成本，各供应商持续面临现金不断流出的窘境，由于任何业者都无法长时间在这种情况下营运，因此，DRAM价格中长期可望逐步走扬。
至于Flash部分，集邦科技指出，随着产品价格大幅弹升后，由于终端市场需求依然未见回温迹象，因此市场买气趋于观望，尤其，3月时序即将逐渐步入传统淡季，为未来产品价格走势添增变数。
