韓國SK海力士推出最快最大容量DRAM內存

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【大紀元2021年10月28日訊】(大紀元記者徐亦揚、李潤靜採訪報導)韓國芯片企業SK海力士(SK Hynix Semiconductor Inc.)日前推出業界最先進的DRAM內存HBM3。韓國芯片專家表示,這是迄今為止速度最快、容量最大的內存。

SK海力士10月20日宣布,已成功開發第三代DRAM內存HBM3。這款芯片每秒能處理819GB數據,可以在1秒內下載163部全高清電影,與之前的產品HBM2E相比,數據處理的速度提高了78%。

SK海力士表示,HBM3不僅是業界最快的DRAM內存,並且有業界最大容量。這款芯片的推出將有助於鞏固該公司在市場的領先地位。

SK海力士是全球第二大存儲芯片製造商,其主要客戶包括蘋果。

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,是計算機存儲器中最常見的類型,可以在很小的物理空間中保存大量數據。

HBM(High bandwidth memory),即高帶寬存儲器,是一種CPU/GPU內存芯片(即 「RAM」),就像摩天大廈中的樓層一樣可以垂直堆疊。基於這種設計,信息交換的時間將會縮短。

芯片專家:HBM是韓國半導體的驕傲

「HBM是我國半導體的驕傲!」韓國芯片工程學會會長、韓國西江大學教授范鎮旭(Jinwook Burm)10月26日在接受大紀元記者採訪時這麼說。HBM3是迄今為止最快、可以處理數據量最大的儲存器

據范鎮旭介紹,HBM3是可以快速讀寫大量數據的存儲器,是第四代HBM半導體。因之前以HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3進行開發,因此這款半導體被稱為第四代。

他介紹說,數據的傳遞和快遞或物流運輸相似,HBM是一次性大容量運輸,且HBM3每秒可以處理819GB數據。

他表示,隨著人工智能半導體的發展,圖片處理裝置(GPU, Graphical Processing Unit)的使用正在增加,在引領未來產業方面是必不可少的技術。「SK海力士完成了最高速度(819GB/s)和最大容量(24GB)」。

同時,與普通存儲器相比,HBM3應用了存儲堆積(疊加)這一高難度技術。范鎮旭解釋說,如果說普通存儲器是1層建築,那麼此次推出的HBM3等於12層建築。

他說,「晶片必須是30微米(厘米的一萬分之一)的厚度,這是非常薄的,而且要整齊排列堆放,這是非常困難的技術。此次在HBM技術中實現了最好的性能,雖然其難度很高,但正在發展成為未來經常使用的成套技術。」

他認為,HBM3的開發成功有助於韓國國內技術的發展和確保國際競爭力。他說:「HBM技術被用於人工智能半導體的核心,開發也需要高難度的尖端工程,因此這種技術可以超越HBM,擴大相關技術的發展。」

他還說,雖然HBM技術已經開發出來,但其速度和容量仍呈增加趨勢,SK海力士在HBM領域一直保持著領先地位。

此前,韓國三星電子在10月12日宣布開始量產採用極紫外(EUV, Extreme Ultraviolet)技術的14納米動態隨機存取儲存器(DRAM)。

三星在14納米DRAM上使用了5層EUV,實現了最高位密度,同時將整體晶圓生產效率提高了約20%。與上一代DRAM節點相比,14納米工藝可降低近20%的功耗。

根據最新的DDR5標準顯示,三星的14納米DRAM將開創過去產品所未有的傳輸速度,速度高達7.2千兆比特每秒(Gbps),是DDR4的兩倍多。

范鎮旭表示,DDR5是用於中央處理器(CPU, Central Processing Unit)的存儲器,GDDR和HBM是用於圖片處理裝置的存儲器。與其說存在優劣,不如說是為了體現必要的特性而製作的不同。

他說:「三星批量生產14納米EUV DDR5 DRAM是了不起的技術。」「我國存儲器的市場占有率之所以超過70%,是因為確保了技術優勢。」

他認為,在DRAM上,韓國三星和SK海力士將繼續保持優勢。「我認為,我國通過確保技術優勢,可以克服代工部分的缺點。」他說,「在激烈的競爭中,包括台積電(TSMC)在內的台灣企業和美光(Micron)等想要重新占據半導體霸權的美國企業的挑戰非同尋常。」

他預測,半導體領域的前景是光明的,並認為全球半導體供應不足的現象可能只是暫時的。今後,半導體市場將爆發性增長,大規模活躍。

「隨著數據將世界轉型,電子設備的使用也比過去有所增加,再加上自動駕駛汽車問世,將會產生原本沒有的需求。比如數據中心、人工智能、汽車半導體領域的年均增長率在30%至40%左右。」他說。@

責任編輯:連書華

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