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台積電榮獲台行政院「傑出科學與技術人才獎」

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【大紀元12月22日訊】(中央社記者張良知台北二十二日電)台積電今天以領先全球的「0.13微米SoC低介電質銅導線先進邏輯製程技術」榮獲行政院92年度「傑出科學與技術人才獎」。此一國家級最高榮譽的技術獎項,不僅是對台積電先進技術能力的肯定,評審團更一致認為該技術對國家經濟有重大貢獻,並且是以研究發展落實國家矽島政策的表率。

台積電公司表示,在行政院公佈的得獎事蹟說明中指出,台積電公司半導體製程技術上由過去技術追隨者進步到技術領先者,其中極具代表性與突破性的技術里程碑,應首推此次獲獎的創新發明「0.13微米SoC低介電質銅導線先進邏輯製程技術」。

台積電的0.13微米技術涵蓋世界級的多種SoCCMOS電晶體製程平台,領先業界的設計尺規,超小型的靜態隨機存取記憶體(SRAM, 2.43-1.87 um2),世界最新的193奈米微影技術,和世界第一的八層低介電質(k﹤=2.9)銅導線;尤其低介電質銅導線製程在業界率先開發成功,領先全球,並且順利導入量產使該項技術得以領先國際知名IDM公司,鞏固台灣在世界電子產業的國際地位。

而此次評審團認為,該技術目前在8吋與12吋上量產已超過40萬片約當8吋晶圓,為台積電與國家帶來近400億元的營收,未來數年產值預期更將高達數千億元,對於國家經濟貢獻良多。此研究成果亦將可繼續應用於90及65奈米製程上,在延伸摩爾定律上,並具有指標性的價值。

台積電副總執行長曾繁城表示,台積電的願景是「成為全球最先進、最創新、以及最大的專業積體電路製造服務業者,並且與我們的客戶群共同組成半導體產業中最堅強的競爭團隊。」,而台積電此次以0.13微米製程技術相關的成果獲獎,除了技術能力獲得肯定外,更是該公司成功地使用0.13微米製程技術,包括關鍵的low-k技術,為客戶進行產品量產,提供最具競爭力的積體電路製造服務,並更進一步推出下一世代的90奈米製程技術供客戶選擇,實現台積電願景的最佳例證。

台積電此項得獎技術,是由研發副總蔣尚義博士領軍,團隊成員包括負責先進模組的梁孟松博士,領導銅導線和低介電材料整合的余振華博士,開創193奈米黃光製程的林本堅博士,以及負責良率提升和整合整體邏輯製程的孫元成與楊光磊博士,共同帶領該公司堅強的研發團隊所締造的優異成果。

蔣尚義副總回顧該技術的開發過程中,最值得一提的關鍵決定是,「台積電在技術開發之初,回絕了將研發人員派駐美國與另一國際知名IDM公司的合作方式,而選擇了自行研發並將團隊基地建立在新竹公司總部的模式,最後不僅領先自行開發完成,更讓台積電的研發團隊在國內生根並保有自主及領先的技術能力。」

台積電目前已使用0.13微米製程為客戶生產的230多個產品中,其應用分佈在消費性、電腦以及通訊產品等領域,預期今年0.13微米製程產品的出貨量將可望超過40萬片8吋晶圓約當量。同時在其中關鍵的0.13微米低介電係數 (low-k dielectric)製程技術方面,台積電也是業界第一家成功通過多家客戶產品驗證並進行量產的公司。(http://www.dajiyuan.com)

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