【大紀元2月12日訊】（法新社東京電）日本半導體業巨擘東芝（Toshiba）和德國半導體大廠英飛凌科技（InfineonTechnologies）今天表示，東芝和英飛凌已研發出擁有龐大記憶容量的微小晶片，標誌著自二○○一年起展開的聯手研發計畫首度開花結果。
東芝公司發言人表示，該三十二個百萬位元的鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）晶片係迄今已知最高容量的這類記憶體，相當於三星（Samsung）公司一年前發表的類似元件。
鐵電隨機存取記憶體係耗電量低的非揮發性記憶元件，兼具動態隨機存取記憶體（DRAM）和靜態唯讀記憶體（SROM）的快速處理優點和關掉電源後儲存資料不會遺失的快閃記憶體長處。
兩家公家表示，此種新型鐵電隨機存取記憶體將晶片整體面積縮減至僅九十六平方毫米，係傳統元件的一半大小，將有助降低成本。
來自東芝和英飛凌科技的五十名工程師一直在東京郊外的橫濱東芝半導體技術中心和東芝先進微電子中心研發新晶片。
東芝表示，它尚未進一步確定新晶片出貨計畫的相關細節。
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