工研院與台積電延續MRAM技術合作發展計畫

【大紀元1月5日報導】（中央社記者何易霖新竹5日電）工研院電子所與台積電今天共同宣佈，雙方再度簽訂「磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）合作發展計畫」，將延續過去3年的合作經驗，朝向MRAM的技術開發與下世代的MRAM技術研究，提升台灣新興記憶體技術競爭力。

工研院電子所所長陳良基表示，電子所過去3年與台積電在MRAM的技術合作開發，有效結合台積電前段製程技術及電子所的後段製程技術的優勢，除開發出MRAM 單位元及與CMOS製程整合之關鍵技術外，也將高密度與低功率的創新專利構想成功地實現在1 Kbit的MRAM中。

台積電研發資深副總蔣尚義表示，有鑒於過去成功與愉快的合作經驗及另人滿意的MRAM量產化可行性初步評估結果，台積電與工研院電子所再度簽約延續合作開發計畫。

他說，未來雙方合作方向除繼續朝各項元件功能改善與製程最佳化發展外，將結合旗下客戶需求，進行量產階段前的最後評估，進一步探討並克服未來元件尺寸微縮時可能遭遇到的技術障礙，預期這項合作將使台積電率先成為世界MRAM先進技術擁有者與量產者。