【大纪元2010年11月17日讯】(大纪元记者宋碧龙台北报导)台湾参与国际团队研究改善半导体制程有重大突破，清大研究团队今(17)日表示，利用磊晶层转移技术，将三五族化合物的光电性质整合到硅基机板上，成功将光与电两种不同的元件整合，让现有32奈米半导体制程进入22奈米制程效果，而这项重要的研究成果，登上了国际知名的“自然”期刊上。
随着台积电宣布40奈米制程已正式量产，目前正积极朝向32奈米量产开发，但半导体已面临制程微缩极限。清大助理教授阙郁伦今天在国科会召开记者会，发表磊晶层转移新技术，实现化合物半导体材料绝缘层披覆技术(XOI)，克服问题进入到22奈米的制程。
这项研究由美国加州柏克莱分校电子工程与电脑科学系副教授Ali Javey团队、美国新墨西哥大学电子与电脑工程系教授Sanjay Krishna团队，以及阙郁伦团队共同合作进行。
阙郁伦说，此研究利用磊晶转层技术，成功将三五族化合物（光电性质），转移到硅基机版上（电子性质），将两种不同性质（光电与电子元件）混合，促使新一代新颖内连线技术得以浮现，可将硅技术推向全新方位。
他表示，这项技术由于制程简单，台积电可用老旧制程300奈米的机台，就可做出22奈米的制程的效果，不需要昂贵精密的机台，加上转移成本低，对现今高成本的半导体发展可以说是很大的突破。
阙郁伦还表示，这项技术优点为低温制程、不需任何接合处理，具有高速度的电子迁移速率，为现今半导体速度快100倍左右外，还因为和光电元件整合，具有发光的效果，同时也让体积缩小…等。
这项技术是一项重大的突破，相关论文已登在11月11日自然期刊（Nature）上。他说，未来这研究将从电子传输转变为光传输，利用光的速度比电子快的特性，未来运算速度会更快，储存容量也更多，将有机会实现光子电脑时代。
