【大纪元1月22日报导】（中央社台北22日电）尔必达将砸下近800亿日圆（7.580亿美元），扩大晶片产出，引进先进的半导体设备，并以DRAM（动态随机存取记忆体）市场龙头三星电子为目标，急起直追。
日本“日经新闻”（Nikkei）报导，这将是尔必达（Elpida Memory）这家晶片制造商3年来首度增产投资。尔必达在美国DRAM大厂美光科技（Micron Technology）加持下，正整军再出发。
经过这次的增产投资，尔必达位于广岛（Hiroshima）的工厂在今年下半年将开始量产采用20nm制程技术的DRAM产品。尔必达目前最高采用25nm制程技术，三星电子（Samsung Electronics Co.）为21-25nm。
尔必达的新晶片，将应用于智慧手机，可节省10%耗电，对亟欲延长电池寿命的装置制造商将是一大福音。
尔必达于截至2012年3月底止会计年度曾砸下700亿日圆，进行设备投资，但却碰上景气低迷，个人电脑（PC）销售不振，因此在2012年2月申请破产重整，并于去年7月成为美光全资附属子公司。美光吃下尔必达后，在全球DRAM的市占倍增至28%，与排名第二大的SK海力士（Hynix Inc.）并驾齐驱。
为挑战控有37%市占的DRAM龙头三星电子，美光扩大截至今年8月止会计年度的设备投资，最多达到31亿美元，较上年倍增。其中约半数将投资尔必达位在日本与台湾的工厂，广岛工厂具有先进端微处理技术，因此将成为尖端产品的供应据点。（译者：中央社赵蔚兰）
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