【大纪元7月29日报导】（中央社台北二十九日综合报导）日经英文新闻 (NEN)报导，力晶半导体、茂德科技、南亚科技与华邦电子等台湾四大记忆体晶片制造商，计划投资100亿美元，借此迎头赶上日、韩竞争对手。另据市调研究机构调查，南韩Hynix已经超越美光科技成为全球第二大DRAM制造商。
报导指出，台湾DRAM厂希望藉由加速投资与大手笔砸钱的日、韩同业并驾齐驱，台湾厂目前在全球DDRDRAM(动态随机存取记忆体)市场的占有率将近20%。
不过，报导未引述消息来源说，台湾DRAM厂争相投产恐导致供给过剩，可能不利产业发展。
据了解，力晶可能投资近21亿美元；茂德将投资近45亿美元，南亚科技则寻求近20亿美元资金，华邦则已开始投资近15亿美元。
另据彭博社引述市调研究机构Gartner Inc.与Isuppli Corp.表示，南韩Hynix Semiconductor Inc.挤下美光科技 (Micron Technology Inc.)，成为全球第二大电脑记忆体晶片制造商。
Hynix的动态随机存取记忆体DRAM营收攀升至11亿美元，市占率达17.1%，超越美光科技的15.3%，1999年以来，首度重登第二名。
南韩三星电子 (Samsung Electronics Co.)则以29.7%市占率，仍居第一名宝座。
根据Isuppli，日本尔必达 (Elpida Memory Inc.)在DRAM销售较首季大幅攀升76%后，已经超越台湾南亚科技，成为全球第五大DRAM制造商。Hynix本月稍早公布第二季获利及销售双双创新高。Hynix财务长表示，明年资本支出可能攀升逾倍至24亿美元。
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