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美智庫:北京進口舊設備量產芯片 應立法堵漏

美智庫:北京進口舊設備量產芯片 應立法堵漏
圖為示意圖。2021年3月17日,江蘇省南通市一家芯片廠。(STR/AFP)
2026-07-3112:54 中港台時間|07-3112:55 更新
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【大紀元2026年07月31日訊】(大紀元記者高杉編譯報導)美囯智庫發布報告警告,雖然西方國家成功阻止對北京出口最先進的光刻機,但中方繞過禁令進口舊設備並改良工藝,仍能量產5納米芯片。專家呼籲新立法堵住相關漏洞。

進口舊設備改進工藝量產芯片

據《國家利益》雜誌週三(7月29日)報導,智庫美國企業研究所(American Enterprise Institute)當天發布的一份分析報告指出,儘管荷蘭自2019年起禁止對華出口阿斯麥最先進的極紫外光(EUV)光刻系統,但中國芯片業者在合法取得的舊型深紫外光浸沒式設備上,通過「多重圖案化」重複曝光新工藝,實現了接近最先進製程的芯片量產。

該報告的作者瑞恩·費達修克(Ryan Fedasiuk)與茱莉亞·托雷斯(Julia Torres)指出,早在2022年,中芯國際就已成功利用升級舊設備工藝的方法量產了7奈米芯片。去年底更被證實,已具備5奈米芯片量產能力。

成本高、產量和合格率低

儘管如此,此法的生產成本較台灣台積電(TSMC)的同等製程高出四至五成。而且由於步驟越多,出錯的機率越高,導致芯片整體合格率較低。

此外,其成本高昂,因為重複曝光需要消耗更多時間、材料與產能,導致製造成本遠高於直接使用EUV光刻機。生產線被大量繁瑣的步驟占用,整體芯片產量無法有效放大。

繞過禁令大量進口舊設備

報告表示,僅在2024年,中國企業就購入了近90台不受禁令限制的深紫外光浸沒式光刻機,加上北京475億美元國家芯片基金支持,預估這批設備全速運轉,每年可生產數百萬片先進芯片,成為華為昇騰人工智慧芯片擴產的關鍵。

價值2.5億美元、如巴士般大小的極紫外光(EUV)光刻機,是印刷全球最先進半導體芯片所必需的設備。每台機器包含超過10萬個零件,以及要求極高的鏡面。

如果把這塊鏡子的表面平滑度,等比例放大到整個德國的國土面積那麼大(德國國土面積約為35.7萬平方公里),鏡面上最大瑕疵也不足一毫米。

拔走北京手中「救命稻草」

該報告建議,針對上述漏洞,美國立法者應儘快通過《MATCH法案》。

2026年4月2日,華盛頓州共和黨聯邦眾議員鮑姆加特納(Baumgartner)主導,聯合12名兩黨議員的共同提案人,提出了《多邊硬體技術控制匹配法案》(Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware,簡稱MATCH Act)。

該法案擬全面禁止向中國銷售前代光刻設備、禁止對已安裝機器提供維修,並將華為、中芯國際列為受限最終用途實體。

其中,禁止對深紫外光浸沒式光刻設備進行維修,等於是拔走了北京握在手中的「救命稻草」。因為光刻機體積龐大且複雜,需要專門維護及特殊替換零件,才能維持高產量運作。而維護工作必須由阿斯麥自家技術人員飛往中國完成。

報告作者建議,涉及對盟友(如荷蘭、日本)實施域外管轄的條款應保留為最後手段,避免對阿斯麥及東京威力科創(Tokyo Electron)等企業造成過度衝擊,同時保留外交豁免彈性措施。

分析人士認為,如果舊型設備銷售與維修持續不受管制,中國有望在未來數年大幅提升先進芯片自產能力,為全球人工智慧(AI)硬件市場的競爭格局帶來變數。

責任編輯:李沐恩#

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