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半導體
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【大紀元4月9日訊】據中央社4月9日報導，國際封測大廠日月光半導體今天宣布，率先研發成功8吋晶圓電鍍技術，並開始進入試產階段，預估第一階段每月生產約 10000片。
隨著覆晶封裝在2002年開始顯著成長，未來大部分0.13微米以下先進製程產出的晶片都會採用覆晶封裝的趨勢，凸塊技術的需求量將相應不斷攀升。據美國知名半導體封裝顧問公司TechSearch預測顯示，使用電鍍凸塊技術的8吋晶圓產能會從今年的641萬片增加到2005年時的1268.8萬片，市場成長達2倍。
日月光表示，目前晶圓凸塊製程分為印刷技術和電鍍技術，兩者技術各擅勝場。電鍍技術優勢是能提供更佳的線寬 (pitch)能力和凸塊的平面度，可提供較大的晶片面積 (die size)，同時電鍍凸塊技術適合高鉛製程的特性，更可大幅提高晶片 (die)的可靠度，增加晶片的強度與運作效能，相當適用在覆晶技術製程上。
目前電鍍技術主要應用在PC相關的中央處理器(CPU)、晶片組及繪圖晶片、電信產業方面的可程式邏輯元件 (PLD)，及Power IC等產品上，成為目前各家封裝廠商積極開發的製程技術。
日月光半導體研發副總經理李俊哲表示：「由於覆晶技術能滿足高階系統產品發展需求，在未來的高階晶片市場重要性與日俱增，加上晶圓製造已邁入0.13微米製程，使得覆晶封裝炙手可熱。」
未來日月光也將8吋電鍍技術的成功開發經驗，快速移轉至12吋晶圓，以吸引更多高階領域客源，全速搶佔全球封測市場領導地位。
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