【大纪元2月16日报导】(中央社记者张建中新竹16日电)工研院今天宣布，与世界先进等20家磊晶及IC制造业者共组宽能隙电力电子研发联盟，共同合作开发宽能隙化合物半导体元件，建立台湾自主电力电子产业链。
工研院表示，随着能源科技日新月异，动力与电力需求愈来愈大，改善电能使用效率的电子电力技术逐步成为全球半导体业瞩目的新兴科技。
由于传统的硅晶半导体元件正面临效率提升困境，高效率的宽能隙碳化硅 (SiC)与氮化镓 (GaN)化合物半导体元件将逐步成为市场主流。工研院预估，2019年碳化硅材料的电力电子元件市场规模将达18.3亿美元。
为推动国内碳化硅技术产业垂直合作，工研院结合世界先进、光磊、茂达、广镓、富鼎、茂硅、尼克森、车王电、嘉联益、汉民科技、台半、合晶、晶电及同欣等20家磊晶、元件设计、制造、封测、模组验证及系统应用厂商合组研发联盟。
工研院指出，宽能隙电力电子研发联盟初期将由工研院主导，建置碳化硅实验室，与会员厂商针对特定技术，进行碳化硅技术的高功率基板材料、磊晶、元件制程、模组与验证等技术开发。
工研院预期，3年后将达到应用模组阶段，投入电动车、太阳光电、分散式能源与变频空调等功率元件产品应用开发，期能透过联盟运作，带动电力电子产业资源整合，建立自主关键技术，建构完整产业链。
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