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【大紀元8月15日訊】三星半導体公司8月14日宣布，它已經幵始量產存儲容量高達1G位的閃存芯片，這种芯片使用了一种能夠使芯片更小、价格更低的生產工藝。
eNews8月15日報道，三星公司在一份聲明中表示，它使用0。12微米的生產工藝取代了以前使用的0。15微米生產工藝。使用這种工藝生產的芯片更小，提高了數据讀取速度，而且芯片的生產成本也會下降。
NAND類型的閃存主要用在數碼相机、手持机、數字音樂播放机等設備以及智能媒体卡、壓縮閃存卡和安全數字卡等內存卡產品中。該類芯片的設計目的主要是更快的讀寫速度和更高的存儲容量。
三星公司稱，它是第一家使用0.12微米生產工藝量產1G位閃存芯片的厂家。它目前仍然在幵發存儲容量為2G位的閃存芯片。
東芝公司正在使用0.13微米工藝生產1G位的閃存芯片，夏普公司于去年表示，它計划在2006年推出存儲容量高達16G位、采用0。1微米工藝的閃存芯片。(http://www.dajiyuan.com)
