三星率先采用0.12微米生产工艺量产1G位的闪存芯片

【大纪元8月15日讯】三星半导体公司8月14日宣布，它已经幵始量产存储容量高达1G位的闪存芯片，这种芯片使用了一种能够使芯片更小、价格更低的生产工艺。

　　eNews8月15日报道，三星公司在一份声明中表示，它使用0。12微米的生产工艺取代了以前使用的0。15微米生产工艺。使用这种工艺生产的芯片更小，提高了数据读取速度，而且芯片的生产成本也会下降。

　　NAND类型的闪存主要用在数码相机、手持机、数字音乐播放机等设备以及智能媒体卡、压缩闪存卡和安全数字卡等内存卡产品中。该类芯片的设计目的主要是更快的读写速度和更高的存储容量。

　　三星公司称，它是第一家使用0.12微米生产工艺量产1G位闪存芯片的厂家。它目前仍然在幵发存储容量为2G位的闪存芯片。

　　东芝公司正在使用0.13微米工艺生产1G位的闪存芯片，夏普公司于去年表示，它计划在2006年推出存储容量高达16G位、采用0。1微米工艺的闪存芯片。(http://www.dajiyuan.com)