【大紀元4月29日報導】(中央社記者張建中新竹二十九日電)即便DRAM價格急遽滑落，目前已逼近DRAM廠製造成本，不過國內各家DRAM業者持續積極擴產，第二季各DRAM廠位元產出將同時有2位數成長；今年除南科位元出貨將增加5成左右外，其餘力晶、茂德及華亞科等年增率都將逾8成水準。
除了製程技術及生產良率外，產能規模也是影響DRAM廠競爭力強弱的一大關鍵，尤其DRAM業界普遍看好DRAM市場可望於4、5月落底，下半年將順利回升，因此國內DRAM廠紛紛大舉擴產；華亞科於今年初即有1座12吋新廠搶先完工投入量產。
隨著子公司華亞科產能增加，南科可望同步受惠，另外南科自建的第一座12吋廠也將於今年下半年完工投產。
其餘力晶除加速與爾必達合資的瑞晶電子建廠進度，預計今年7月便可望順利完工量產，另外，力晶同時持續擴充購自旺宏的12M廠產能，預計第二季月產能將自第一季底的2.8萬片，進一步擴增至4萬片規模。
茂德也計劃將中科晶圓三廠月產能擴增至年底的6.5萬片，另外，中科晶圓四廠也將於9月完工量產，至今年底月產能將達1.5萬片規模。
隨著產能不斷擴增，國內各DRAM廠第二季DRAM 位元產出可望同步有2位數成長；其中以華亞科成長幅度最大，可望增加20%以上。
而南科因可望分得華亞科一半產能，因此第二季位元出貨可望增加逾1成；力晶則在第一季DRAM位元產出增加18%後，第二季位元產出可望再增加13%。
至於全年位元產出狀況，華亞科由於公司二廠製造產能進度超乎預期，決定將今年位元出貨成長率由原先的7成，上修至8成以上水準。而南科則預期，今年位元出貨將較去年成長50%至55%。
力晶除了12M廠擴產外，公司與爾必達合資的瑞晶也可望於第四季量產挹注產能，另外，公司製程技術推進至70奈米效益也將逐步顯現，今年位元產出可望增加82%。
茂德則在中科晶圓三廠擴產，及晶圓四廠投入量產挹注產能，再加上公司製程技術推進效益顯現，今年DRAM 位元總產出可望達7.2億至7.3億顆，將較去年再成長85%至86%。
