【大纪元2月27日讯】英特尔廿六日表示，半导体未来趋势将在追求体积更小、更高速下，CMOS工艺技术仍将占有优势，但将持续转进0.13微米与十二寸晶圆厂，而晶片产出数量将会是八寸、0.18微米的四倍。英特尔并表示，与超微、美光、Infineon等大厂共同开发的极紫外线（EUVL ），可望于二○○五年导入量产。
据雅虎中文网报道，英特尔技术与制造事业群专业顾问（Fellow ）Paolo Gargini在开发者论坛（ＩＤＦ）会前会中表示，身为英特尔创办人之一的摩尔所提出的半导体定论中显示，电晶体体积每隔二年便会缩小三成，因此每片晶圆晶片产出数量将增为二倍，并节省一半成本，而效能也将至少提升三成，虽然许多人都认为摩尔定律将被打破，但目前为止半导体发展均按照此定律进行，估计二○○五年制程技术将由现今的0.18微米提升到0.07微米，沟道长度（Gate Le ngth）也将由0.13微米缩减微0.03微米。
不过Gargini表示，以目前半导体制程中的步进机（Stepper）演变为扫描机（Scanner）曝光技术来看，无法因应未来0.1微米以下工艺需求，因此英特尔、超微、摩托罗拉、Inf ineon与美光（Micron）等五家公司共同合作开发EUVL，并在三个国家实验室研发，英特尔估计由最原始技术开发到量产将耗时十年时间，估计二○○五年才会由这些领导厂商导入量产，届时将顺利使相当微小的电路线图也能显影在晶圆上，并将制程导入0.1微米以下，再次验证摩尔定律。也由于制程技术不断提升，Gargini表示，过去快闪记忆体容量提升为二倍需要二年时间，一九九九年开始已缩短为十八个月。
除了开发先进制程外，Gargini表示，目前已以0.13微米工艺成功试产出Pentium3，合计有八座工厂导入0.13研发，紧接着Pen tium4也将在第四季导入，并成为明年主力制程技术。Gargini指出，英特尔同时也是全球首家投入十二寸厂建厂者，因此0.13微米工艺今年先由八寸厂率先启动、明年开始将会引进到十二寸的奥勒岗新厂。Gargini表示，工艺由0.18增为0.13微米、八寸到十二寸晶圆厂转进下，将分别增加二倍产能，因此合计每片晶圆产出颗粒数将增为四倍，后续英特尔所有新产品都将以0。13微米工艺为基础设计。
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