晶片“盖高楼” 英特尔大突破

【大纪元5月5日报导】（中央社旧金山4日法新电）晶片大厂英特尔（Intel）今天宣布晶片重大突破，可望让手机效能更强，却更加省电。

这间美国晶片厂说，这是50多年前发明硅电晶体以来，首次以3维而非2维方式大量生产。

英特尔“革命性”的三门（Tri-Gate）电晶体，舍弃只往两侧扩充的方式，改由往上增加，如同高楼大厦内部空间比一堆矮平房更多。

英特尔早在2002年就宣布三门晶片，如今以22奈米制程生产。

英特尔说，低电压和低耗电，远超过我们平常所见的晶片时代跃进。（译者：中央社李威翰）