【大纪元6月29日报导】(中央社记者张建中新竹29日电)晶圆代工厂联电今天宣布，取得IBM技术授权，将加速20奈米先进制程技术开发时程。
联电表示，为能适时推出尖端制程，协助客户次世代晶片设计，决定借重IBM专业技术，缩减20奈米与鳍式场效记忆体(FinFET)研发周期。
联电指出，根据双方协议，IBM将授权联电20奈米设计套件，及FinFET技术。
联电表示，内部自行研发的20奈米平面制程，将与IBM的设计规则与制程/元件目标同步；未来联电的FinFET技术，将针对行动运算与通讯产品，以强化低耗电功能。
联电20奈米与FinFET技术研发，将于南科研发中心进行。
